2SK2376(Q)

Категория

Производитель

Toshiba

Мощность полевого МОП-транзистора (MOSFET) MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.017Ohm
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 911 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 60,0 V
Power - Max 100,0 W
Packaging Tube
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3350pF @ 10V
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FL



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*