2SK2376(Q)

Производитель
Toshiba
Категория
Описание
MOSFET N-CH 60V, 45A, RDSON=0.
Доставка: 3 недели 150 шт.
В наличии 0 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60,0 V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3350pF @ 10V
Mounting Type Through Hole
Packaging Tube
Power - Max 100,0 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220FL
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №7
обновлен: 02.05.2011
статус: 3 склад
Виртуальный 2-ой склад
2-3 нед. 761 шт. По запросу