IRFSL4610

Категория

Производитель

None

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package. RoHS CompLiant.

Прикрепленные файлы

Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 173 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 100,0 V
Power - Max 190,0 W
Packaging Tube
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3550pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Package/Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device Package TO-262
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*