IXBT10N170

Категория

Производитель

IXYS

Please go to iiiC Component Part Num: IXBT10N170 Description: BiMOSFETs Configuration: Copack (FRD) Package Style: TO-268 Active Part Parameter IXBT10N170 VCES, (V) 1700 IC25, TC=25°C, (A) 16 IC90, TC=90°C, (A) 10 IC110, TC=110°C, (A) VCE(sat), typ, TJ=25°C, (V) 2.3 tf typ, TJ=25°C, (ns) 1200 tfi typ, TJ=25°C, (ns) Gate drive, (V) 15 RthJC, max, (°C/W) 1.25 Weight: 0.005kg
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 285 шт. По запросу



Технические характеристики

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700,0 V
Current - Collector (Ic) (Max) 20,0 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40,0 A
Power - Max 140,0 W
Gate Charge 30,0 nC
Reverse Recovery Time (trr) 360,0 ns
Packaging Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 10A
Switching Energy 6mJ (off)
Input Type Standard
Td (on/off) @ 25°C 35ns/500ns
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268
Test Condition 1360V, 10A, 56 Ohm, 15V



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*