IXFH28N50Q

Категория

Производитель

IXYS

Please go to iiiC Component Part Num: IXFH28N50Q Description: High Voltage Q-Class HiPerFETs (up to 1200V) Configuration: Single Package Style: TO-247 Not for New Designs: Contact the factory for lead times (part is still available for purchase). Support Docs: Parameter IXFH28N50Q VDSS, max, (V) 500 ID(cont), TC=25°C, (A) 28 RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) 0.2 Ciss, typ, (pF) 3300 Qg, typ, (nC) 94 trr, typ, (ns) trr, max, (ns) 250 PD, (W) 400 RthJC, max, (°C/W) 0.31 Weight: 0.006kg

Прикрепленные файлы

Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 589 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 500,0 V
Power - Max 375,0 W
Packaging 0,0
FET Type 0,0
FET Feature 0,0
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28,0
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200,0
Vgs(th) (Max) @ Id 4,5
Gate Charge (Qg) @ Vgs 94,0
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000,0
Mounting Type 0,0
Supplier Device Package 0,0
Packaging Tube
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 94nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AD



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*