IXFT10N100

Категория

Производитель

IXYS

Please go to iiiC Component Part Num: IXFT10N100 Description: High Voltage Q-Class HiPerFETs (up to 1200V) Configuration: Single Package Style: TO-268 Not for New Designs: Contact the factory for lead times (part is still available for purchase). Parameter IXFT10N100 VDSS, max, (V) 1000 ID(cont), TC=25°C, (A) 10 RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) 1.2 Ciss, typ, (pF) 4000 Qg, typ, (nC) 122 trr, typ, (ns) trr, max, (ns) 250 PD, (W) 298 RthJC, max, (°C/W) 0.42 Weight: 0.005kg

Прикрепленные файлы

Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 619 шт. По запросу



Технические характеристики

Power - Max 300,0 W
Packaging Tube
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 155nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4000pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*