IXT-1-1N100S1

Категория

Производитель

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8 Description:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC FET Type:MOSFET N-Channel Metal Oxide FET Feature:Standard Drain to Source Voltage (Vdss):1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25¦ C:1.5A Rds On (Max) @ Id Vgs:- Vgs(th) (Max) @ Id:- Gate Charge (Qg) @ Vgs:- Input Capacitance (Ciss) @ Vds:- Power - Max:- Mounting Type:Surface Mount Package / Case:8-SOIC Supplier Device Package:8-SOIC Packaging:Tube
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 619 шт. По запросу



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*