IXTE250N10

Производитель
IXYS
Категория
Описание
HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
Доставка: 3 недели 3432 шт.
В наличии 0 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 250,0 A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250,0 A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100,0 V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Mounting Type Chassis Mount
Packaging Tube
Power - Max 730,0 W
Supplier Device Package SOT-227B

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №7
обновлен: 18.07.2011
статус: 3 склад
Виртуальный 2-ой склад
2-3 нед. 877 шт. По запросу