IXTE250N10

Категория

Производитель

IXYS

Please go to iiiC Component Part Num: IXTE250N10 Description: High Voltage Power MOSFETs Configuration: Single Package Style: Not for New Designs: Contact the factory for lead times (part is still available for purchase). Parameter IXTE250N10 VDSS, Max, (V) 100 ID(cont), TC=25°C, (A) 250 RDS(on), Max, Tj=25°C, (Ohm) 0.005 Ciss, Typ, (pF) 7800 Qg, Typ, (nC) 390 trr, Typ, (ns) 150 Pd, (W) 730 RthJC, Max, (°C/W) 0.17 Weight: 0.003kg
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 257 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 100,0 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 250,0 A
Power - Max 730,0 W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250,0 A
Packaging Tube
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*