IXTF200N10T

Категория

Производитель

IXYS

Please go to iiiC Component Part Num: IXTF200N10T Description: 2nd Generation Trench Gate Power MOSFETs Configuration: Single Package Style: Active Part Parameter IXTF200N10T VDSS, max, (V) 100 ID(cont), TC=25°C, (A) 90 RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) 0.007 Ciss, typ, (pF) 9400 Qg, typ, (nC) 152 trr, typ, (ns) 76 trr, max, (ns) PD, (W) 156 RthJC, max, (C/W) 0.96 Weight: 0.007kg

Прикрепленные файлы

Склад № Срок поставки Кол-во Цена
2 от 3 нед. 817 шт. По запросу



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*