IXTT10P60

Категория

Производитель

IXYS

Single P-Channel 600 V 1 Ohm 300 W Power Mosfet - TO-268. RoHS: Compliant. pbFree: Yes
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
1 от 3 нед. 454 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 600,0 V
Power - Max 300,0 W
Packaging Tube
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4700pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*