IXTT10P60

Производитель
IXYS
Категория
Описание
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Доставка: 3 недели 3919 шт.
В наличии 60000009 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600,0 V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4700pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tube
Power - Max 300,0 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №20015
обновлен: 07.09.2017
статус: 3 склад
Виртуальный 1-ый склад
2-3 нед. По запросу По запросу