Vishay Micro Measurements
N/P-CH MOSFET SO-8 40V 39/54MO
Доставка: 3 недели 4623 шт.
В наличии 0 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.3A, 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40,0 V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 625pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Power - Max 2,0 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC N
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №7
обновлен: 02.05.2011
статус: 3 склад
Виртуальный 2-ой склад
2-3 нед. 213 шт. По запросу