SI5480DU-T1-E3

Категория

Производитель

Vishay Micro Measurements

MOSFET, N, POWERPAK Voltage, Vds max:30V;
Case style:POWER PAK;
Current, Id cont:12A;
Current, Idm pulse:30A;
Resistance, Rds on:0.022R;
More Details
Склад № Срок поставки Кол-во Цена
7 от 3 нед. 469 шт. По запросу



Технические характеристики

Drain to Source Voltage (Vdss) 30,0 V
Power - Max 31,0 W
Packaging Digi-Reel®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1230pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single



К сожалению, наш консультант не может ответить Вам прямо сейчас. Оставьте Ваш E-mail и интересующий вопрос, и мы Вам обязательно ответим.
*
*