IPP111N15N3 G

Производитель
Категория
Описание
Infineon Technologies MOSFET N-Channel 150V MOSFET
Доставка: 3 недели 30146 шт.
В наличии 0 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 83A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150,0 V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3230pF @ 75V
Mounting Type Through Hole
Packaging Tube
Power - Max 214,0 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1 mOhm @ 83A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160µA

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №86
обновлен: 01.12.2013
статус: 3 склад
Виртуальный 2-ой склад
2-3 нед. 730 шт. По запросу