STB25NM50N-1

Производитель
ST Ericsson
Категория
MOSFET силовые транзисторы
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3];
Тип: N;
Uси: 500 В;
Iс(25°C): 22 А;
Rси(вкл): 0.14 Ом;
@Uзатв(ном): 10 В;
Qзатв: 84 нКл
Доставка: 3 недели 5154 шт.
В наличии 0 шт.

Технические характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22,0
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500,0 V
FET Feature 0,0
FET Feature Standard
FET Type 0,0
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 84,0
Gate Charge (Qg) @ Vgs 84nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2565,0
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2565pF @ 25V
Mounting Type 0,0
Mounting Type Through Hole
Packaging 0,0
Packaging Tube
Power - Max 160,0 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140,0
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 0,0
Supplier Device Package I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4,0
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Информация о складах

Склад Доставка Кол-во Цена
склад №6
2-3 нед. 973 шт. По запросу

А также наличие на других складах.